casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR600150CT
Número da peça de fabricante | MBR600150CT |
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Número da peça futura | FT-MBR600150CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR600150CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR600150CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR600150CT-FT |
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A045
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A060
GeneSiC Semiconductor
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation