casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBR5200VPB-E1
Número da peça de fabricante | MBR5200VPB-E1 |
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Número da peça futura | FT-MBR5200VPB-E1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR5200VPB-E1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5200VPB-E1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR5200VPB-E1-FT |
JANTXV1N6078
Microsemi Corporation
JANTXV1N6081
Microsemi Corporation
JANTXV1N6391
Microsemi Corporation
JANTXV1N6392
Microsemi Corporation
JANTXV1N647-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N649-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620U
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6621
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel