casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR50060CTR
Número da peça de fabricante | MBR50060CTR |
---|---|
Número da peça futura | FT-MBR50060CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR50060CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 500A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 250A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR50060CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR50060CTR-FT |
MBR2X060A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X060A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X080A120
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel