casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBR3100VP-G1
Número da peça de fabricante | MBR3100VP-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR3100VP-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR3100VP-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3100VP-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR3100VP-G1-FT |
1N5401-B
Diodes Incorporated
1N5401-T
Diodes Incorporated
1N5406-B
Diodes Incorporated
1N5407-B
Diodes Incorporated
SB330-T
Diodes Incorporated
SB340-T
Diodes Incorporated
SB350-T
Diodes Incorporated
SB360-T
Diodes Incorporated
SB370-T
Diodes Incorporated
SB380-T
Diodes Incorporated
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel