casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR30L100CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR30L100CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR30L100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR30L100CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30L100CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR30L100CT C0G-FT |
GP1607 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel