casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR3090CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR3090CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR3090CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR3090CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3090CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR3090CT C0G-FT |
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel