casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR3035CTHC0G
Número da peça de fabricante | MBR3035CTHC0G |
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Número da peça futura | FT-MBR3035CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBR3035CTHC0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 35V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR3035CTHC0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR3035CTHC0G-FT |
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel