casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR30150CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR30150CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR30150CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR30150CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 30A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.02V @ 30A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30150CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR30150CT C0G-FT |
GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel