casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR30035CTL
Número da peça de fabricante | MBR30035CTL |
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Número da peça futura | FT-MBR30035CTL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR30035CTL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 150A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 150A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 35V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30035CTL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR30035CTL-FT |
MBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A200
GeneSiC Semiconductor
FST63100M
GeneSiC Semiconductor
FST6310M
GeneSiC Semiconductor
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel