casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR30030CTRL
Número da peça de fabricante | MBR30030CTRL |
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Número da peça futura | FT-MBR30030CTRL |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR30030CTRL Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 150A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 150A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30030CTRL Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR30030CTRL-FT |
MBR2X120A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A200
GeneSiC Semiconductor
FST63100M
GeneSiC Semiconductor
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel