casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR2590CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR2590CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR2590CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR2590CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 25A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2590CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR2590CT C0G-FT |
GP1007 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1007HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601HC0G
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GP1602 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604 C0G
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GP1604HC0G
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GP1605HC0G
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EP2C5T144I8
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A1020B-2PQG100I
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EP3SL50F484C3N
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LFE2-12SE-6FN256C
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10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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