casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR25100CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR25100CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR25100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR25100CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 25A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR25100CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR25100CT C0G-FT |
SR2090HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1001 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1001HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1002HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1003HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1004HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1005HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
Intel
EPF10K30RI208-4
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EP20K160EQC208-1X
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel