casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20200CT-G1
Número da peça de fabricante | MBR20200CT-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR20200CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR20200CT-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20200CT-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20200CT-G1-FT |
VS-VSKD71/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKD91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS200/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKDS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel