casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20150SCT-G1
Número da peça de fabricante | MBR20150SCT-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR20150SCT-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBR20150SCT-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20150SCT-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20150SCT-G1-FT |
MBR20100CT-E1
Diodes Incorporated
SDT30100VCT
Diodes Incorporated
SBR30A50CT
Diodes Incorporated
SBR30U30CT
Diodes Incorporated
SBR20A150CT
Diodes Incorporated
SBR20A100CT
Diodes Incorporated
SBR30A40CT
Diodes Incorporated
SBR30A60CT
Diodes Incorporated
SBR40U200CT
Diodes Incorporated
SBR60A60CT
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel