casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20100CT-G1
Número da peça de fabricante | MBR20100CT-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR20100CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBR20100CT-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CT-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20100CT-G1-FT |
MBRF30H100CTG
ON Semiconductor
VS-30CTQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
STPS20200CFP
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STPS30SM80CFP
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MA3D752
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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MA3D749
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XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
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LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
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EP3SL200H780I3N
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EP2AGX125DF25I3
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5SGXEA9K2H40I3L
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XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
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EP1S30F780C8N
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