casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20080CT
Número da peça de fabricante | MBR20080CT |
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Número da peça futura | FT-MBR20080CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR20080CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20080CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20080CT-FT |
DD160N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KHPSA1
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DD171N12KKHPSA1
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DD231N22KHPSA1
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DD231N26KHPSA1
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DD260N12KHPSA1
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LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX100-2FG676C
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A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
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EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel