casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20080CTR
Número da peça de fabricante | MBR20080CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR20080CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR20080CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20080CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20080CTR-FT |
DD171N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N12KKHPSA1
Infineon Technologies
DD171N16KHPSA1
Infineon Technologies
DD171N18KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N22KHPSA1
Infineon Technologies
DD231N26KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KAHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KHPSA1
Infineon Technologies
DD260N12KKHPSA1
Infineon Technologies
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
M1A3P250-2PQG208I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1
Intel
10CL055YU484I7G
Intel
EP3SL50F484C4L
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
AGL125V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation