casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR20040CTR
Número da peça de fabricante | MBR20040CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR20040CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR20040CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20040CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR20040CTR-FT |
DD104N14KAHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KHPSA1
Infineon Technologies
DD104N14KKHPSA1
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DD104N16KHPSA1
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DD104N16KKHPSA1
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DD160N22KHPSA1
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DD171N12KAHPSA1
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DD171N12KHPSA1
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DD171N16KHPSA1
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XC2V80-5FGG256C
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XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
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A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
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5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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