casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR12030CT
Número da peça de fabricante | MBR12030CT |
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Número da peça futura | FT-MBR12030CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR12030CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 120A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12030CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR12030CT-FT |
FST8380M
GeneSiC Semiconductor
UFT7340M
GeneSiC Semiconductor
UFT7360M
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MBR30035CTR
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MBR30020CTR
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A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel