casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR10L100CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR10L100CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR10L100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10L100CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10L100CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10L100CT C0G-FT |
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20200CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR20150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR2045CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EP2C5T144C7
Intel
LCMXO640E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-5FGG484C
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
EP3SL70F484C3N
Intel
EP20K200CF484C7N
Intel
5SGXMABN3F45C2N
Intel
AGL125V2-CS196I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation