casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR10200CT C0G
Número da peça de fabricante | MBR10200CT C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR10200CT C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10200CT C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 980mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CT C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10200CT C0G-FT |
SR1650HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1660HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1690 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1690HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR20150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel