casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR10200CT-E1
Número da peça de fabricante | MBR10200CT-E1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MBR10200CT-E1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10200CT-E1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CT-E1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10200CT-E1-FT |
MBRF30L60CTG
ON Semiconductor
MA3D750
Panasonic Electronic Components
MURF1660CTG
ON Semiconductor
NTSJ30U100CTG
ON Semiconductor
MA3D752A
Panasonic Electronic Components
DSA20C100PN
IXYS
STPS30M80CFP
STMicroelectronics
MA3D649
Panasonic Electronic Components
VS-20CTH03FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTH02FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation