casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR10150CT-G1
Número da peça de fabricante | MBR10150CT-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR10150CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10150CT-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 150V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10150CT-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10150CT-G1-FT |
SBR40U60CT
Diodes Incorporated
SBR20100CT
Diodes Incorporated
SBR40U120CT
Diodes Incorporated
SBR20E120CT
Diodes Incorporated
SBR3040CT
Diodes Incorporated
SBR4045CT
Diodes Incorporated
SDT30A120CT
Diodes Incorporated
SDT40120CT
Diodes Incorporated
SDT30A100CT
Diodes Incorporated
SBR20B100CT
Diodes Incorporated
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel