casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBR10150 C0G
Número da peça de fabricante | MBR10150 C0G |
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Número da peça futura | FT-MBR10150 C0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10150 C0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 10A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AC |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10150 C0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10150 C0G-FT |
SFA1007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA801GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA802GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA803G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA803GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel