
| Número da peça de fabricante | MB8M-G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MB8M-G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| MB8M-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 800V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBM |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MB8M-G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MB8M-G-FT |

KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP304-BP
Micro Commercial Co

KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP304G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP305G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP305G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP306-BP
Micro Commercial Co

KBP306G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP306G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation

M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation

A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation

AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation

EP1S25F672C8
Intel

EP4CE30F23C8LN
Intel

5SGXEA5N2F40I2N
Intel

5SGXMA7H2F35C1N
Intel

LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation

EP20K1000CF33C7N
Intel