casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1
Número da peça de fabricante | MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 550ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 3V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1-FT |
6116SA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116SA20DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
6116LA120DB
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3719MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS133BBGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
70T3799MS166BBG
IDT, Integrated Device Technology Inc
GD25Q64CYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LQ128DYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel