casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Número da peça de fabricante | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MB85R256GPF-G-BND-ERE1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | - |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB85R256GPF-G-BND-ERE1-FT |
M50FW040K5G
Micron Technology Inc.
M50FW040K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW040N1
Micron Technology Inc.
M50FW040N5G
Micron Technology Inc.
M50FW040N5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW040NB5G
Micron Technology Inc.
M50FW040NB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080K5G
Micron Technology Inc.
M50FW080K5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW080N1
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel