casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MB85R1001ANC-GE1
Número da peça de fabricante | MB85R1001ANC-GE1 |
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Número da peça futura | FT-MB85R1001ANC-GE1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB85R1001ANC-GE1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R1001ANC-GE1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB85R1001ANC-GE1-FT |
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4UBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel