casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / MB85R1001ANC-GE1
Número da peça de fabricante | MB85R1001ANC-GE1 |
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Número da peça futura | FT-MB85R1001ANC-GE1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB85R1001ANC-GE1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FRAM |
Tecnologia | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 150ns |
Tempo de acesso | 150ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85R1001ANC-GE1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB85R1001ANC-GE1-FT |
GD5F1GQ4UFYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F1GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UEYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4UFYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RBYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4RCYIGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F4GQ4UBYIGR
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LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
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Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
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