Número da peça de fabricante | MB6S-TP |
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Número da peça futura | FT-MB6S-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB6S-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 500mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBS-1 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB6S-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB6S-TP-FT |
TS25P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel