Número da peça de fabricante | MB6M-G |
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Número da peça futura | FT-MB6M-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB6M-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB6M-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB6M-G-FT |
CBRSDSH2-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D010S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1U-D020S
Central Semiconductor Corp
CBRSDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH2-60 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH1-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLDSH2-40 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-02 TR13
Central Semiconductor Corp
CBRLD1-04 TR13
Central Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel