Número da peça de fabricante | MB356-F |
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Número da peça futura | FT-MB356-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB356-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 35A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 17.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | QC Terminal |
Pacote / caso | 4-Square, MB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB356-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB356-F-FT |
GBU6K
ON Semiconductor
GBU6B
ON Semiconductor
GBU4J
ON Semiconductor
GBU6D
ON Semiconductor
GBU4D
ON Semiconductor
GBU6M
ON Semiconductor
GBU4K
ON Semiconductor
GBU8K
ON Semiconductor
GBU6J
ON Semiconductor
GBU4B
ON Semiconductor
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel