Número da peça de fabricante | MB2510W |
---|---|
Número da peça futura | FT-MB2510W |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB2510W Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 25A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 12.5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, MB-35W |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MB-35W |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB2510W Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB2510W-FT |
RB152-BP
Micro Commercial Co
RB153
Micro Commercial Co
RB153-BP
Micro Commercial Co
RB154
Micro Commercial Co
RB154-BP
Micro Commercial Co
RB155
Micro Commercial Co
RB155-BP
Micro Commercial Co
RB156
Micro Commercial Co
RB156-BP
Micro Commercial Co
RB157
Micro Commercial Co
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel