Número da peça de fabricante | MB1M-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-MB1M-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB1M-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-DIP (0.200", 5.08mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1M-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB1M-G-FT |
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP301G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302-BP
Micro Commercial Co
KBP302G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP302G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP303G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP304-BP
Micro Commercial Co
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel