Número da peça de fabricante | MB10M-G |
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Número da peça futura | FT-MB10M-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB10M-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10M-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB10M-G-FT |
KBP204G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP205G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP205G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP206G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP206G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation