Número da peça de fabricante | MB10M-G |
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Número da peça futura | FT-MB10M-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB10M-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-DIP (0.157", 4.00mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10M-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB10M-G-FT |
KBP204G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP205G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP205G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP206G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP206G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP207G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
KBP3005-BP
Micro Commercial Co
KBP301-BP
Micro Commercial Co
KBP301G C2
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel