casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MB10H100HE3_A/I
Número da peça de fabricante | MB10H100HE3_A/I |
---|---|
Número da peça futura | FT-MB10H100HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100HE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100HE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB10H100HE3_A/I-FT |
BYWB29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF8820ATC144-3
Intel
XC2V6000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AT40K20-2EQC
Microchip Technology
XC7A75T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E2LG
Intel
EP3SL150F780I4
Intel
EP1C4F324I7N
Intel