casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MB10H100CTHE3_A/P
Número da peça de fabricante | MB10H100CTHE3_A/P |
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Número da peça futura | FT-MB10H100CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H100CTHE3_A/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3.5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H100CTHE3_A/P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB10H100CTHE3_A/P-FT |
VS-10CDH06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D202CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10D60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20D202C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel