Número da peça de fabricante | MB102 |
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Número da peça futura | FT-MB102 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB102 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, BR-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BR-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB102 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB102-FT |
APTDF200H60G
Microsemi Corporation
APTDC40H601G
Microsemi Corporation
APTDC40H1201G
Microsemi Corporation
803-2
Microsemi Corporation
680-6
Microsemi Corporation
W10M-BP
Micro Commercial Co
W08M-BP
Micro Commercial Co
W06M-BP
Micro Commercial Co
W04M-BP
Micro Commercial Co
W02M-BP
Micro Commercial Co
AX1000-1FG484
Microsemi Corporation
EP3C16U256I7
Intel
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
XC4VLX60-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-11FFG672I
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C5N
Intel