Número da peça de fabricante | MB1010 |
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Número da peça futura | FT-MB1010 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB1010 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Square, BR-6 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | BR-6 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1010 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB1010-FT |
APTDR90X1601G
Microsemi Corporation
APTDF60H1201G
Microsemi Corporation
APTDF200H60G
Microsemi Corporation
APTDC40H601G
Microsemi Corporation
APTDC40H1201G
Microsemi Corporation
803-2
Microsemi Corporation
680-6
Microsemi Corporation
W10M-BP
Micro Commercial Co
W08M-BP
Micro Commercial Co
W06M-BP
Micro Commercial Co
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel