casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4P606-131
Número da peça de fabricante | MA4P606-131 |
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Número da peça futura | FT-MA4P606-131 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4P606-131 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1000V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 100V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 700 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P606-131 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4P606-131-FT |
HSMS-286F-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-286F-TR2G
Broadcom Limited
HSCH-5310
Broadcom Limited
HSCH-5312
Broadcom Limited
HSCH-5314
Broadcom Limited
HSCH-5330
Broadcom Limited
HSCH-5331
Broadcom Limited
HSCH-5332
Broadcom Limited
HSCH-5340
Broadcom Limited
HSCH-5512
Broadcom Limited
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M35E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel