casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4E1319-1
Número da peça de fabricante | MA4E1319-1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-MA4E1319-1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4E1319-1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Tee |
Tensão - pico reverso (máximo) | 7V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1319-1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4E1319-1-FT |
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCKU11P-2FFVE1517I
Xilinx Inc.
XCV200-5FG456C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EBI652-2X
Intel
5SGXMA3H3F35I3LN
Intel