casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4E1319-1
Número da peça de fabricante | MA4E1319-1 |
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Número da peça futura | FT-MA4E1319-1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4E1319-1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Tee |
Tensão - pico reverso (máximo) | 7V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.6pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | Die |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4E1319-1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4E1319-1-FT |
HSCH-5531
Broadcom Limited
HPND-4028
Broadcom Limited
HMPS-2822-BLK
Broadcom Limited
HSMP-386J-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386J-TR2G
Broadcom Limited
BA979-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BA979S-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6VLX75T-L1FFG484C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP3SE260H780C4LN
Intel
5SGXEA9N1F45C2N
Intel
EP4SGX530KH40I4N
Intel
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31I5
Intel