casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M95M01-RMN6P
Número da peça de fabricante | M95M01-RMN6P |
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Número da peça futura | FT-M95M01-RMN6P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M95M01-RMN6P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 1Mb (128K x 8) |
Freqüência do relógio | 16MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95M01-RMN6P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M95M01-RMN6P-FT |
TH58NYG3S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel