casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M95512-DRDW3TP/K
Número da peça de fabricante | M95512-DRDW3TP/K |
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Número da peça futura | FT-M95512-DRDW3TP/K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
M95512-DRDW3TP/K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 16MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 4ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-TSSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95512-DRDW3TP/K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M95512-DRDW3TP/K-FT |
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF8H0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW7D0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EW9D0E
Micron Technology Inc.
N25Q128A11BF840F TR
Micron Technology Inc.
XC7A50T-2FG484I
Xilinx Inc.
XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C7
Intel
EP4CE55F29I8L
Intel
EP20K600CB652C8
Intel