casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M59DR032EA10ZB6
Número da peça de fabricante | M59DR032EA10ZB6 |
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Número da peça futura | FT-M59DR032EA10ZB6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M59DR032EA10ZB6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 32Mb (2M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.65V ~ 2.2V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-LFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (7x12) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M59DR032EA10ZB6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M59DR032EA10ZB6-FT |
M50FLW080AN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080ANB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BK5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BN5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5G
Micron Technology Inc.
M50FLW080BNB5TG TR
Micron Technology Inc.
M50FW016N5G
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel