casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M58BW16FB4T3T TR
Número da peça de fabricante | M58BW16FB4T3T TR |
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Número da peça futura | FT-M58BW16FB4T3T TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M58BW16FB4T3T TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 16Mb (512K x 32) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 80-BQFP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 80-PQFP (19.9x13.9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW16FB4T3T TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M58BW16FB4T3T TR-FT |
R1LV0108ESF-5SR#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#B0
Renesas Electronics America
R1LV0108ESF-7SR#S0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#AA0
Renesas Electronics America
RMLV0816BGSA-4S2#KA0
Renesas Electronics America
RMLV1616AGSA-5S2#KA0
Renesas Electronics America
HYB25D512800CE-5
Sharp Microelectronics
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel