casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M58BW016FB7T3T TR
Número da peça de fabricante | M58BW016FB7T3T TR |
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Número da peça futura | FT-M58BW016FB7T3T TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M58BW016FB7T3T TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 16Mb (512K x 32) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 80-BQFP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 80-PQFP (19.9x13.9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M58BW016FB7T3T TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M58BW016FB7T3T TR-FT |
M29W640GSH70ZF6E
Micron Technology Inc.
M29W640GSL70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT60NA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT60ZA6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70N3F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70NA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6E
Micron Technology Inc.
M29W640GT70ZS6F TR
Micron Technology Inc.
M29W640GT7AN6E
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel