casa / produtos / Resistores / Resistor Chip - Montagem em Superfície / M55342M09B200DRWSV
Número da peça de fabricante | M55342M09B200DRWSV |
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Número da peça futura | FT-M55342M09B200DRWSV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-55342, RM2512 |
M55342M09B200DRWSV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 200 Ohms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 1W |
Composição | Thin Film |
Características | Military, Non-Inductive |
Coeficiente de temperatura | ±300ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Pacote / caso | 2512 (6432 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 2512 |
Tamanho / dimensão | 0.259" L x 0.124" W (6.58mm x 3.15mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.033" (0.84mm) |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | R (0.01%) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M55342M09B200DRWSV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M55342M09B200DRWSV-FT |
M55342K09B1E21RWSV
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LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-TQ176M
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M2GL010-VFG256
Microsemi Corporation
A3P250L-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
EP4CGX75CF23I7N
Intel
XC7A50T-1CPG236I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10M04SCM153I7G
Intel