casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / M50100TB800
Número da peça de fabricante | M50100TB800 |
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Número da peça futura | FT-M50100TB800 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M50100TB800 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100TB800 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M50100TB800-FT |
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
GBJ804-F
Diodes Incorporated
GBJ2010-F
Diodes Incorporated
GBJ2001-F
Diodes Incorporated
GBJ1006-F
Diodes Incorporated
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
AT6002A-2AC
Microchip Technology
XC2VP30-6FG676I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
5AGXMA7D4F27C5N
Intel
LFE2M35SE-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F324C6N
Intel
EPF10K30RI208-4
Intel
EP4SGX290FF35I3
Intel