casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - retificadores de ponte / M50100TB1200
Número da peça de fabricante | M50100TB1200 |
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Número da peça futura | FT-M50100TB1200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M50100TB1200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Three Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1.2kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M50100TB1200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M50100TB1200-FT |
GBJ801
Diodes Incorporated
GBJ602-F
Diodes Incorporated
GBJ1501-F
Diodes Incorporated
GBJ1508-F
Diodes Incorporated
GBJ606-F
Diodes Incorporated
GBJ608-F
Diodes Incorporated
GBJ1502-F
Diodes Incorporated
GBJ610-F
Diodes Incorporated
GBJ1008-F
Diodes Incorporated
GBJ8005
Diodes Incorporated
LFXP6C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-2FG256I
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C8
Intel
EP4CE30F23C8LN
Intel
5SGXEA5N2F40I2N
Intel
5SGXMA7H2F35C1N
Intel
LCMXO640E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF33C7N
Intel