casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z58Y-70MH1E
Número da peça de fabricante | M48Z58Y-70MH1E |
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Número da peça futura | FT-M48Z58Y-70MH1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z58Y-70MH1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-SOH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z58Y-70MH1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z58Y-70MH1E-FT |
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel