casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z512AY-70PM1
Número da peça de fabricante | M48Z512AY-70PM1 |
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Número da peça futura | FT-M48Z512AY-70PM1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z512AY-70PM1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 32-PMDIP Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z512AY-70PM1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z512AY-70PM1-FT |
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel